FQB30N06LTM_ON_安森美_TO-263(D²Pak)_MOSFETs

Name: FQB30N06LTM_ON_安森美_TO-263(D²Pak)_MOSFETs
Brand: ON

FQB30N06LTM 型号参数

FQB30N06LTM是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能家居控制器、指纹识别器、单片机、智能安防摄像头、电子搅拌器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如液晶显示器、 3D打印机、信号发生器、热水器、电子手表、电子血压计、网卡、电子厨房计时器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
FDMA530PZ	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=6.8A RDS(ON)=35mΩ@10V WDFN6_2X2MM_EP
NTK3043NT1G	MOSFET–电源，带ESD保护的N通道，SOT-723 20 V，285 mA
NTS4001NT1G	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=270mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SC70
FDN360P	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2A RDS(ON)=80mΩ@10V SOT23-3
NVD5117PLT4G-VF01	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=61A RDS(ON)=16mΩ@10V TO252
FDA18N50	通孔 N 通道 500 V 19A（Tc） 239W（Tc） TO-3PN
FDN5618P	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.25A RDS(ON)=170mΩ@10V SOT23-3
NDC7002N	MOS管 Dual N-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=510mA RDS(ON)=2Ω@10V TSOT23-6
BVSS84LT1G	MOS管 P-Channel VDS=50V VGS=±20V ID=130mA RDS(ON)=10Ω SOT23

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