SI2307DS-T1-GE3-VB_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs

Name: SI2307DS-T1-GE3-VB_VBsemi_微碧_SOT-23_MOSFETs
Brand: VBsemi

SI2307DS-T1-GE3-VB 型号参数

SI2307DS-T1-GE3-VB是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能安防摄像头、摄像机、 3D打印机、电路板、直流电源，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能手环、门禁系统、电子加湿器、安防监控系统、功放器、电子词典、音响系统、手机充电器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
VBA2107	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=10A RDS(ON)=5mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
VB5222	MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A TSOP6
SI4435DY-T1-E3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOP-8
FDS4435A-NL-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:9A SO-8
VB7322	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=5.5A RDS(ON)=27mΩ@4.5V TSOP6
HM3400PR	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6.8A RDS(ON)=22mΩ@4.5V SOT89
AO3415A	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
AO4800	MOS管双N-通道 VDS=30V VGS=±20V ID=6.2A RDS(ON)=26mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
AO4470-VB	MOSFETs N-沟道 SO-8
IRF7103TRPBF-VB	MOSFETs 2个N沟道耐压:60V 电流:7A SO-8

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