SI4162DY-T1-GE3_Vishay_威世_SO8_MOSFETs

Name: SI4162DY-T1-GE3_Vishay_威世_SO8_MOSFETs
Brand: Vishay

SI4162DY-T1-GE3 型号参数

SI4162DY-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子湿度计、内存条、信号发生器、集成电路板、扬声器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如 USB闪存盘、电动自行车、汽车电子控制系统、 RFID读写器、烤箱、逆变器、手机、电子胎心监测仪等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI3443CDV-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 5.97A（Tc） 2W（Ta），3.2W（Tc） 6-TSOP
SI7454DDP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 21A（Tc） 4.1W（Ta），29.7W（Tc） PowerPAK® SO-8
SI3590DV-T1-E3	MOSFET TSOP6 N + P-Channel ID=3A，ID=2A
SQ2310ES-T1_GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=6A RDS(ON)=30mΩ@4.5V SOT23-3
SI2302DDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=2.1A RDS(ON)=57mΩ@4.5V SOT23-3
TN2404K-T1-E3	MOS管 N-Channel VDS=240V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=4Ω@10V SOT23-3
SQ2362ES-T1_GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=68mΩ@10V SOT23-3
SI7288DP-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=10A RDS(ON)=19mΩ@10V PowerPAK® SO-8
SI2301BDS-T1-GE3	MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=2.4A
SI2342DS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=8V VGS=±5V ID=6A RDS(ON)=17mΩ@4.5V SOT23-3

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