SI4866DY-T1-E3-VB_VBsemi_微碧_SOP-8_MOSFETs

Name: SI4866DY-T1-E3-VB_VBsemi_微碧_SOP-8_MOSFETs
Brand: VBsemi

SI4866DY-T1-E3-VB 型号参数

SI4866DY-T1-E3-VB是品牌VBsemi微碧，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如显卡、指纹识别器、蓝牙音箱、信号发生器、 LCD显示屏，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子净水器、数字信号处理器（DSP）、手机、手机充电器、 MP4播放器、电子手表、电子广告牌、整流器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
FDS4435A-NL-VB	MOSFETs P沟道耐压:30V 电流:9A SO-8
2SJ179	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=6A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT89
SFT1350.-VB	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=15mΩ@4.5V TO252
CEM4435A	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
IRLR7821TRPBF-VB
PMR280UN-VB	MOSFETs N沟道 20V 1A SC75-3
AO6604	MOS管 N+P Channel VDS=20V VGS=±20V ID=5.5A,3.4A TSOP6
IRFR3710ZTRPBF	MOSFETs N沟道耐压:100V 电流:60A TO252
SI2305DS-T1-GE3-VB	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4.5A RDS(ON)=43mΩ@4.5V SOT23
SI7465DP-T1-E3-VB	MOSFETs P沟道耐压:60V 电流:36A DFN8_5X6MM_EP

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