SI7232DN-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK1212-8_MOSFETs

SI7232DN-T1-GE3 型号参数

SI7232DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 RFID读写器、电子翻译器、电路板、网卡、微波炉，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：SI7232DN-T1-GE3
品牌：威世(Vishay)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=10A RDS(ON)=16.4mΩ@4.5V PowerPAK® 1212-8

MOSFETs可应用场景，如烟雾报警器、微波炉、射频连接器、电路板、吸尘器、 CT扫描仪、电子广告牌、电动自行车等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI2303CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 30 V 2.7A（Tc） 1W（Ta），2.3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
IRFP360PBF	MOSFET TO247AC N -Channel ID=23A
SI4948BEY-T1-E3	VDS=60V ID=2.4A PD=1.4W 2 P-Channel SOIC8_150MIL MOSFETs
SI9407BDY-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.7A RDS(ON)=120mΩ@10V SOIC8_150MIL
SIR422DP-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=40A RDS(ON)=6.6mΩ@10V
SIRA18DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=+20,-16V ID=15.5A RDS(ON)=7.5mΩ@10V
SI2307CDS-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=2.7A RDS(ON)=88mΩ@10V SOT23-3
IRFL014TRPBF	表面贴装型 N 通道 60 V 2.7A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
IRFP250PBF	通孔 N 通道 200 V 30A（Tc） 190W（Tc） TO-247AC
IRFU110PBF	通孔 N 通道 100 V 4.3A（Tc） 25W（Tc） TO-251AA

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