SI7489DP-T1-E3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs

Name: SI7489DP-T1-E3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SI7489DP-T1-E3 型号参数

SI7489DP-T1-E3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能手机、智能手表、变压器、电饭煲、 CT扫描仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子手表、安防监控系统、电子加湿器、蓝牙耳机、逻辑分析仪、电子湿度计、 CT扫描仪、电子温度计等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRFP360PBF	MOSFET TO247AC N -Channel ID=23A
SI4634DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 24.5A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SOIC
SUM85N15-19-E3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=85A RDS(ON)=19mΩ@10V TO263
SIS443DN-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=11.7mΩ@10V
SI4202DY-T1-GE3	MOSFETDual N-Channel VDS=30V ID=12.1A PD=3.7W SOIC8_150MIL
SI2325DS-T1-E3	MOS管 P-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=530mA RDS(ON)=1.2Ω@10V SOT23-3
SIDR622DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=64.6A RDS(ON)=17.7mΩ@10V
SI2308BDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.3A RDS(ON)=156mΩ@10V SOT23-3
IRFBC30PBF	通孔 N 通道 600 V 3.6A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
SI4459ADY-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=29A RDS(ON)=5mΩ@10V SOIC8_150MIL

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