SI7489DP-T1-E3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs

SI7489DP-T1-E3 型号参数

SI7489DP-T1-E3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如集成电路板、 MRI扫描仪、电子白板、复印机、摄像机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
IRF740PBF	通孔 N 通道 400 V 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
SI7852DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 80 V 7.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8
SIS412DN-T1-GE3	MOSFETs 1个N沟道耐压:30V 电流:12A PowerPAK1212-8
SI4634DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 24.5A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SOIC
SI4425DDY-T1-GE3	MOSFETs P-channel VDS=30V ID=19.7A SOIC8_150MIL
SI8800EDB-T2-E1	表面贴装型 N 通道 20 V 2A（Ta） 500mW（Ta） 4-Microfoot
SI7113DN-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=13.2A RDS(ON)=134mΩ@10V
SI2371EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=3.7A RDS(ON)=45mΩ@10V SOT23-3
SI2301CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 3.1A（Tc） 860mW（Ta），1.6W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SIR422DP-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=40A RDS(ON)=6.6mΩ@10V

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