SIS443DN-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_3.05X3.05MM_MOSFETs

SIS443DN-T1-GE3 型号参数

SIS443DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如冰箱、电子门锁、 X光机、电子血压计袖带、频谱分析仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
IRFBG30PBF	MOS管 N-Channel VDS=1000V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=5mΩ@10V TO220
SI1317DL-T1-GE3	MOSFET SOT323 P-Channel ID=1.4A
SIZ340DT-T1-GE3	MOSFET - 阵列 2 个 N 通道（半桥） 30V 30A，40A 16.7W，31W 表面贴装型 8-Power33（3x3）
IRF530PBF	通孔 N 通道 100 V 14A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
IRFP9240PBF	MOS管 P-Channel VDS=200V VGS=±20V ID=12A RDS(ON)=500mΩ@10V TO247AC
SIA923EDJ-T1-GE3	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=54mΩ@4.5V
IRFI640GPBF	通孔 N 通道 200 V 9.8A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
IRFR430ATRPBF	表面贴装型 N 通道 500 V 5A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
SIS402DN-T1-GE3	MOSFETs N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=35A RDS(ON)=6mΩ@10V
SI7738DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=30A RDS(ON)=38mΩ@10V

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