SI7738DP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs

Name: SI7738DP-T1-GE3_Vishay_威世_PPAK8_4.9X5.89MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SI7738DP-T1-GE3 型号参数

SI7738DP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如指纹识别器、 MRI扫描仪、智能手环、移动硬盘、打印机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如网络适配器、电子胎心监测仪、网卡、电源供应器、触摸屏、显卡、 USB闪存盘、虚拟现实头盔等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SQ2361AEES-T1_GE3	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.8A RDS(ON)=170mΩ@10V SOT23-3
2N7002-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=115mA RDS(ON)=7.5Ω@5V SOT23-3
SI7898DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 150 V 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8
IRF830PBF	MOSFETs VDS=500V RDS=1.5Ω@10V ID=4.5A P=74W
IRFP27N60KPBF	通孔 N 通道 600 V 27A（Tc） 500W（Tc） TO-247AC
SIS406DN-T1-GE3	MOSFETs 1个N沟道耐压:30V 电流:9A POWERPAK-1212-8
SQ2362ES-T1_GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=68mΩ@10V SOT23-3
SI2365EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=32mΩ@4.5V SOT23-3
SQD25N15-52_GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=25A RDS(ON)=52mΩ@10V TO252
SI2333CDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=5.1A RDS(ON)=35mΩ@4.5V SOT23-3

型号相关

热门型号