SIS406DN-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK1212-8_MOSFETs

Name: SIS406DN-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK1212-8_MOSFETs
Brand: Vishay

SIS406DN-T1-GE3 型号参数

SIS406DN-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如调制解调器、数码相机、智能音箱、功放器、人脸识别设备，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能手环、触摸屏、智能门锁、摄像头、 MP4播放器、电视机、数字信号处理器（DSP）、音频功率放大器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRFBG30PBF	MOS管 N-Channel VDS=1000V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=5mΩ@10V TO220
SI2301CDS-T1-E3	MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=3.1A
SI3590DV-T1-E3	MOSFET TSOP6 N + P-Channel ID=3A，ID=2A
SI1022R-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=330mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT416-3
SI2318DS-T1-E3	表面贴装型 N 通道 40 V 3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
IRF620PBF	通孔 N 通道 200 V 5.2A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
SI1308EDL-T1-GE3	MOSFET SOT323 N-Channel ID=1.4A
SI7145DP-T1-GE3	MOSFETs P-CH 30V 60A PPAK SO-8
SI9933CDY-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=58mΩ@4.5V SOIC8_150MIL
SIR474DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 20A（Tc） 3.9W（Ta），29.8W（Tc） PowerPAK® SO-8

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