SI9933CDY-T1-GE3_Vishay_威世_SOIC8_150MIL_MOSFETs

SI9933CDY-T1-GE3 型号参数

SI9933CDY-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如固态硬盘、电子胎心监测仪、内存条、 MP4播放器、音频信号处理器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
SI2308BDS-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=2.3A RDS(ON)=156mΩ@10V SOT23-3
SQ2309ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 60 V 1.7A（Tc） 2W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SI4948BEY-T1-GE3	MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 60V 2.4A 1.4W 表面贴装型 8-SOIC
IRF640PBF	通孔 N 通道 200 V 18A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
IRF9610PBF	MOSFETs P-Channel VDS=200V RDS=3Ω ID=1.8A P=20W
SI7898DP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 150 V 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8
IRF840BPBF	通孔 N 通道 500 V 8.7A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB
TN2404K-T1-E3	MOS管 N-Channel VDS=240V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=4Ω@10V SOT23-3
SI2301CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 20 V 3.1A（Tc） 860mW（Ta），1.6W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
IRF9540PBF	通孔 P 通道 100 V 19A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB

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