SI7852DP-T1-GE3_Vishay_威世_SO8_MOSFETs

Name: SI7852DP-T1-GE3_Vishay_威世_SO8_MOSFETs
Brand: Vishay

SI7852DP-T1-GE3 型号参数

SI7852DP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子词典、 CT扫描仪、光纤连接器、电子琴、电子厨房计时器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如血糖仪、扫地机器人、遥控器、电子白板、电子美容仪、 USB闪存盘、智能家居控制系统、吸尘器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
IRF820PBF	通孔 N 通道 500 V 2.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
SI4848DY-T1-E3	MOSFETs N-Channel VDS=150V ID=2.7A SOIC8_150MIL
SIR876ADP-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 40A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK® SO-8
SI2325DS-T1-E3	MOS管 P-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=530mA RDS(ON)=1.2Ω@10V SOT23-3
SI2307BDS-T1-E3	表面贴装型 P 通道 30 V 2.5A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
SIA923EDJ-T1-GE3	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=54mΩ@4.5V
SQD25N15-52_GE3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=25A RDS(ON)=52mΩ@10V TO252
SI7148DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=75V VGS=±20V ID=28A RDS(ON)=11mΩ@10V PowerPAK® SO-8
SI2333CDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=5.1A RDS(ON)=35mΩ@4.5V SOT23-3
IRF530PBF	通孔 N 通道 100 V 14A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB

型号相关

热门型号