SIR876ADP-T1-GE3_Vishay_威世_POWERPAK-SO8_4.9X5.89MM_MOSFETs

Name: SIR876ADP-T1-GE3_Vishay_威世_POWERPAK-SO8_4.9X5.89MM_MOSFETs
Brand: Vishay

SIR876ADP-T1-GE3 型号参数

SIR876ADP-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如指纹识别器、电子血压计袖带、集成电路板、冰箱、台式电脑主机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子手表、电子翻译器、调音台、实验室离心机、光纤连接器、智能音箱、智能手表、红外感应器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI7322DN-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 100 V 18A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK® 1212-8
IRFP27N60KPBF	通孔 N 通道 600 V 27A（Tc） 500W（Tc） TO-247AC
SI1022R-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=330mA RDS(ON)=3Ω@4.5V SOT416-3
SI4634DY-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 30 V 24.5A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SOIC
IRFR320TRPBF	表面贴装型 N 通道 400 V 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
SUM110P04-05-E3	MOSFETs P-channel VDS=40V ID=110A TO263-3
SI7232DN-T1-GE3	MOS管 Dual N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=10A RDS(ON)=16.4mΩ@4.5V PowerPAK® 1212-8
SIA923EDJ-T1-GE3	MOS管 Dual P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=54mΩ@4.5V
SI2365EDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4.5A RDS(ON)=32mΩ@4.5V SOT23-3
SI2333CDS-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±8V ID=5.1A RDS(ON)=35mΩ@4.5V SOT23-3

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