SIA906EDJ-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK®SC70-6L_MOSFETs

Name: SIA906EDJ-T1-GE3_Vishay_威世_PowerPAK®SC70-6L_MOSFETs
Brand: Vishay

SIA906EDJ-T1-GE3 型号参数

SIA906EDJ-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如无人机、音频线材、信号发生器、路由器、电磁炉，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能安防摄像头、空调、遥控器、功放器、话筒（麦克风）、音响系统、气体报警器、移动硬盘等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SI7450DP-T1-E3	MOSFETs N-Channel VDS=200V ID=3.2A PowerPAK® SO-8
IRFP360PBF	MOSFET TO247AC N -Channel ID=23A
IRFP240PBF	MOSFETs TO247AC N-Channel VDS=200V ID=20A
SI7113DN-T1-GE3	MOSFETs P-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=13.2A RDS(ON)=134mΩ@10V
IRFD9024PBF	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.6A RDS(ON)=280mΩ@10V
SQ2325ES-T1_GE3	表面贴装型 P 通道 150 V 840mA（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
SUM85N15-19-E3	MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=85A RDS(ON)=19mΩ@10V TO263
SI2303CDS-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 30 V 2.7A（Tc） 1W（Ta），2.3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
TN2404K-T1-E3	MOS管 N-Channel VDS=240V VGS=±20V ID=200mA RDS(ON)=4Ω@10V SOT23-3
SUM110P06-08L-E3	表面贴装型 P 通道 60 V 110A（Tc） 3.75W（Ta），272W（Tc） TO-263（D²Pak）

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