2N7002E-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs

Name: 2N7002E-T1-GE3_Vishay_威世_SOT-23_MOSFETs
Brand: Vishay

2N7002E-T1-GE3 型号参数

2N7002E-T1-GE3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如耳机、 LCD显示屏、音频线材、 X光机、红外感应器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如不间断电源（UPS）、电子美容仪、电子游戏机手柄、吉他效果器、变压器、扫描仪、无人机、视频线材等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
2N7002E-T1-GE3	表面贴装型 N 通道 60 V 240mA（Ta） 350mW（Ta） TO-236
IRFP240PBF	MOSFETs TO247AC N-Channel VDS=200V ID=20A
SI7619DN-T1-GE3	表面贴装型 P 通道 30 V 24A（Tc） 3.5W（Ta），27.8W（Tc） PowerPAK® 1212-8
SI2312BDS-T1-GE3	MOSFETs VDS=20V ID=5A P=750mW RDS=31mΩ@4.5V N Channel SOT23-3
IRFBC30PBF	通孔 N 通道 600 V 3.6A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
SIRA18DP-T1-GE3	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=+20,-16V ID=15.5A RDS(ON)=7.5mΩ@10V
IRFBG30PBF	MOS管 N-Channel VDS=1000V VGS=±20V ID=3.1A RDS(ON)=5mΩ@10V TO220
IRFP32N50KPBF	MOSFETs N-Channel VDS=500V RDS=135mΩ ID=32A P=460W
SI4909DY-T1-GE3	MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
SI7617DN-T1-GE3	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=13.9A RDS(ON)=12.3mΩ@10V

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