SSM3J328R_LF(T_Toshiba_东芝_SOT23F_MOSFETs

Name: SSM3J328R_LF(T_Toshiba_东芝_SOT23F_MOSFETs
Brand: Toshiba

SSM3J328R,LF(T 型号参数

SSM3J328R,LF(T是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如游戏机、蓝牙音箱、虚拟现实头盔、智能音箱、吸尘器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子脱毛器、微波炉、扫描仪、电子温度计、电子体温计探头、交流电源、实验室离心机、液晶显示器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
2SK3878	MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=9A RDS(ON)=1.3Ω@10V SC65
SSM3K15AFS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
SSM6N56FE,LM	VDS=20V ID=800mA Pd=150mW 2 N-Channel ES6 MOSFETs ROHS
TPH2R506PL,L1Q	• High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers
SSM3J334R,LF(T	VDS=30V ID=4A RDSon=71mΩ@10V,3A PD=1W Vth=2V@100uA P Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS
2SK3569	MOS管 N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=10A RDS(ON)=750mΩ@10V TO220F
SSM3K37MFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
TPHR9003NL,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=220A RDS(ON)=0.9mΩ@10V SOP Advance8
SSM3K35AMFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA

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