SSM6N56FE_LM_Toshiba_东芝_SOT666_MOSFETs

Name: SSM6N56FE_LM_Toshiba_东芝_SOT666_MOSFETs
Brand: Toshiba

SSM6N56FE,LM 型号参数

SSM6N56FE,LM是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如气体报警器、集成电路板、信号发生器、虚拟现实头盔、扫地机器人，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电动车充电器、电子手表、电子血压计、扬声器、台式电脑主机、电子助听器、射频连接器、智能手机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
2SK3878	MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=9A RDS(ON)=1.3Ω@10V SC65
T2N7002AK,LM	MOSFET N-CH 60V 0.2A
SSM3J46CTB(TPL3)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：103mΩ@4.5V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3K37MFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3J132TU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±6V ID=5.4A RDS(ON)=17mΩ@4.5V UFM3
TPH3R70APL,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=3.7mΩ@10V SOP Advance8
SSM3J332R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA
TPH2R506PL,L1Q	• High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers
SSM3J338R,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=6A RDS(ON)=17.6mΩ@8V SOT23F
SSM3K345R,LF	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=4A RDS(ON)=33mΩ@4.5V SOT23F

型号相关

热门型号