SSM3K345R_LF_Toshiba_东芝_SOT23F_MOSFETs

Name: SSM3K345R_LF_Toshiba_东芝_SOT23F_MOSFETs
Brand: Toshiba

SSM3K345R,LF 型号参数

SSM3K345R,LF是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如稳压电源、冰箱、实验室离心机、电动自行车充电器、音响设备，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电子空气净化器、无人机、移动硬盘、逆变器、摄像机、电动自行车充电器、 DVD播放器、音频信号处理器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
2SK3878	MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=9A RDS(ON)=1.3Ω@10V SC65
SSM6J511NU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=14A RDS(ON)=9.1mΩ@8V UDFN6B_2X2MM_EP
SSM3J338R,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=6A RDS(ON)=17.6mΩ@8V SOT23F
SSM3J356R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
SSM3J332R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA
SSM3K37MFV,L3F	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.2Ω@4.5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@1mA
SSM3J332R,LF(T	表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
TPH3R70APL,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=3.7mΩ@10V SOP Advance8
TPH2R506PL,L1Q	• High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers

型号相关

热门型号