SSM3J356R_LF_Toshiba_东芝_SOT23F_MOSFETs

SSM3J356R,LF 型号参数

SSM3J356R,LF是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子手表、 RFID读写器、 X光机、可编程逻辑控制器（PLC）、洗衣机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：SSM3J356R,LF
品牌：东芝(Toshiba)
分类：MOSFETs
参数：类型：P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA

型号	参数
SSM3K15AFS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
SSM3K15AFS,LF(B	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）
SSM3J334R,LF(T	VDS=30V ID=4A RDSon=71mΩ@10V,3A PD=1W Vth=2V@100uA P Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS
SSM3K35MFV(TPL3)	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
SSM6N35FE,LM	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
2SK3878	MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=9A RDS(ON)=1.3Ω@10V SC65
SSM3K324R,LF(T	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT23F
TPH3R70APL,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=3.7mΩ@10V SOP Advance8
SSM6N56FE,LM	VDS=20V ID=800mA Pd=150mW 2 N-Channel ES6 MOSFETs ROHS
SSM3J332R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA

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