SSM3K15AFS_LF(B_Toshiba_东芝_SSM_MOSFETs

Name: SSM3K15AFS_LF(B_Toshiba_东芝_SSM_MOSFETs
Brand: Toshiba

SSM3K15AFS,LF(B 型号参数

SSM3K15AFS,LF(B是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子按摩器、电子广告牌、复印机、电子门禁卡、电子书阅读器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如智能家居控制器、 DVD播放器、电子美容仪、电子助听器、射频连接器、电子烤箱温度计、遥控器、电子白板等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SSM3K15AFS,LF(B	东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（U-MOS III）
SSM3J338R,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=6A RDS(ON)=17.6mΩ@8V SOT23F
TPH3R70APL,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=3.7mΩ@10V SOP Advance8
SSM6N35FE,LM	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
TK100E08N1,S1X(S	MOSFETs N沟道 Vdss：80V Id：100A Pd：255W TO-220
SSM6J511NU,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=14A RDS(ON)=9.1mΩ@8V UDFN6B_2X2MM_EP
SSM3K15AFS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
SSM6N56FE,LM	VDS=20V ID=800mA Pd=150mW 2 N-Channel ES6 MOSFETs ROHS
SSM3J332R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA
SSM3J56MFV,L3F(T	Load Switching Applications

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