SSM3K123TU_LF_Toshiba_东芝_UFM3_MOSFETs

Name: SSM3K123TU_LF_Toshiba_东芝_UFM3_MOSFETs
Brand: Toshiba

SSM3K123TU,LF 型号参数

SSM3K123TU,LF是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子血压计袖带、电子除螨仪、智能安防摄像头、电子加湿器、摄像机，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如复印机、稳压电源、 LED照明灯、微波炉、功放器、平板电脑、汽车、 B超机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
SSM6N56FE,LM	VDS=20V ID=800mA Pd=150mW 2 N-Channel ES6 MOSFETs ROHS
SSM3J334R,LF(T	VDS=30V ID=4A RDSon=71mΩ@10V,3A PD=1W Vth=2V@100uA P Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS
SSM3J56MFV,L3F(T	Load Switching Applications
SSM3J338R,LF	MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=6A RDS(ON)=17.6mΩ@8V SOT23F
SSM6N35FE,LM	High-Speed Switching ApplicationsAnalog Switch Applications
SSM3J332R,LF	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：42mΩ@10V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@1mA
SSM3K15AFS,LF	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：100mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
SSM3K341R,LF	硅N沟道MOS VDS=60V ID=6A SOT23F
TK100E08N1,S1X(S	MOSFETs N沟道 Vdss：80V Id：100A Pd：255W TO-220
TPH3R70APL,L1Q	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=3.7mΩ@10V SOP Advance8

型号相关

热门型号