WSD50P10ADN56_WINSOK_微硕_DFN8_5X6MM_MOSFETs

Name: WSD50P10ADN56_WINSOK_微硕_DFN8_5X6MM_MOSFETs
Brand: WINSOK

WSD50P10ADN56 型号参数

WSD50P10ADN56是品牌WINSOK微硕，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如示波器、空调、电子罗盘、电子书阅读器、 LED显示器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如光纤连接器、射频连接器、智能照明系统、无人机、电子加湿器、门禁系统、电子脱毛器、视频线材等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
WST3420	MOSFET SOT23N N-Channel VDS=20V ID=4.4A
WSF4060	MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=60A RDS(ON)=9mΩ@10V TO252
WSP4447	MOS管 P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=11A RDS(ON)=16mΩ@10V SOP8_150MIL
WSF50P10	P沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：34A 功率(Pd)：96W,
WSP08N10	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=51mΩ@10V SOP8_150MIL
WSD3050DN	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=50A RDS(ON)=8.5mΩ@10V
WST2304	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±8V ID=6.3A RDS(ON)=25mΩ@4.5V SOT23N
WST2316A	MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=5.5A RDS(ON)=32mΩ@4.5V SOT23-3
WSR4N65F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：39W
WSD3067DN56	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30/-30V 连续漏极电流(Id)：24/-19.8A 功率(Pd)：18.9W

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