AO3415是品牌MDD辰达半导体，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电磁炉、 电子词典、 打印机、 安防摄像头、 示波器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：AO3415
- 品牌：辰达半导体(MDD)
- 分类：MOSFETs
- 参数：P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 直流电源、 音响系统、 电子秤、 扫地机器人、 吉他效果器、 电子温度计、 电子体温计探头、 摩托车 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| AO3415 | P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A |
| SI2301S | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：800pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：330pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：45pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) |
| MDD10N65F | VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:10.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:0.81Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路 |
| BSS84 | VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子 |
| MDD3400 | MOSFETs N-沟道 30V 5.8A 27mΩ@10V SOT23 |
| MDD2301 | VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子 |
| BSS138 | VDSS（DS最小反向击穿电压）:50V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子 |
| 2N7002 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：300mW |
| MDD2305 | VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-4.2A，RDS(on)（DS导通内阻）:37mΩ@-4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子 |
| MDD2301 | VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子 |
