MDD2305是品牌MDD辰达半导体，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子门锁、 逆变器、 整流器、 功放设备、 游戏机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：MDD2305
- 品牌：辰达半导体(MDD)
- 分类：MOSFETs
- 参数：VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-4.2A，RDS(on)（DS导通内阻）:37mΩ@-4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子湿度计、 现场可编程门阵列（FPGA）、 LCD显示屏、 网卡、 电子美容仪、 智能音箱、 虚拟现实头盔、 电动自行车充电器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| BSS84 | VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子 |
| SI2302S | SOT-23塑料封装MOSFET |
| MDD10N65F | VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:10.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:0.81Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路 |
| MDD7N65D | VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:7.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:1.2Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路 |
| 2N7002K | VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子 |
| AO3415 | P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A |
| 2N7002 | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：300mW |
| MDD3400 | MOSFETs N-沟道 30V 5.8A 27mΩ@10V SOT23 |
| SI2302 | MOSFETs N-沟道 20V 3A SOT23 新型号MDD2302 |
| MDD2302 | MOSFETs N-沟道 20V 4A SOT23 旧型号SI2302 |
