HSBA20N15S是品牌HUASHUO华朔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 电子阅读器、 打印机、 整流器、 笔记本电脑、 触摸屏 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：HSBA20N15S
- 品牌：华朔(HUASHUO)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：23A 功率(Pd)：72.6W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 智能插座、 智能照明系统、 电子门禁卡、 电子脱毛器、 电子体重秤、 电子翻译器、 指纹识别器、 数字信号处理器（DSP） 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| HSU4103 | MOSFETs P-沟道 40V 27A 46mΩ@4.5V TO252 |
| HSM0228 | 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.5W |
| HSBA20N15S | N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：23A 功率(Pd)：72.6W |
| HSP80P10 | P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：210W |
| HSH15810 | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：227W |
| HSM4113 | P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：7.5A 功率(Pd)：3.1W |
| BSS84 | SOT23 350mW |
| HSBB3105 | P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：42A 功率(Pd)：37W |
| HSBA15810C | MOSFETs 1个N沟道 耐压:100V 电流:100A PRPAK8_5X6MM |
| AO3415 | MOSFETs P-沟道 20V 4.3A 80mΩ@1.8V SOT23L |
