HSH15810是品牌HUASHUO华朔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 智能手表、 音频信号处理器、 视频线材、 电子脱毛器、 模拟信号处理器（ASP） ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：HSH15810
- 品牌：华朔(HUASHUO)
- 分类：MOSFETs
- 参数：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：227W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 网卡、 整流器、 冰箱、 电源供应器、 无线网卡、 电动车、 电子翻译器、 电子罗盘 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| HSH15810 | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：227W |
| HSBA15810C | MOSFETs 1个N沟道 耐压:100V 电流:100A PRPAK8_5X6MM |
| HSL6107 | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.5W |
| HSU0139 | P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：102W |
| HSU6032 | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：41W |
| HSM4113 | P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：7.5A 功率(Pd)：3.1W |
| HSBA6115 | MOSFETs 1个P沟道 耐压:60V 电流:35A DFN8_5.1X5.7MM |
| HSS0127 | MOSFETs SOT23 P-Channel 0.9A |
| HSU70P06 | MOSFETs P-沟道 60V 70A 135W 12mΩ@4.5V TO252-2 |
| HSM0228 | 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.5W |
