HSM4115是品牌HUASHUO华朔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 血糖仪、 B超机、 汽车电子控制系统、 电子胎心监测仪、 路由器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：HSM4115
- 品牌：华朔(HUASHUO)
- 分类：MOSFETs
- 参数：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：8.7A 功率(Pd)：1.5W
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 烤箱、 电子翻译器、 功放设备、 汽车、 笔记本电脑、 饮水机、 交换机、 电子血压手环 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| HSBA6115 | MOSFETs 1个P沟道 耐压:60V 电流:35A DFN8_5.1X5.7MM |
| HSP80P10 | P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：210W |
| HSU4115 | P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：52A 功率(Pd)：52.1W |
| HSM0228 | 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.5W |
| AO3400A | MOSFETs N-沟道 30V 5.2A 52mΩ@2.5V SOT23 |
| HSS0127 | MOSFETs SOT23 P-Channel 0.9A |
| HSM6115 | P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：5W |
| HSBA20N15S | N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：23A 功率(Pd)：72.6W |
| HSBA4115 | MOSFETs 1个P沟道 耐压:40V 电流:52A PRPAK_5X6MM |
| BSS84 | SOT23 350mW |
