HSBA6115是品牌HUASHUO华朔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 数码相机、 复印机、 显卡、 网络适配器、 电饭煲 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：HSBA6115
- 品牌：华朔(HUASHUO)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFETs 1个P沟道 耐压:60V 电流:35A DFN8_5.1X5.7MM
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 音响系统、 手机充电器、 电子厨房计时器、 音频功率放大器、 遥控器、 安防摄像头、 扫地机器人、 摩托车 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| AO3400A | MOSFETs N-沟道 30V 5.2A 52mΩ@2.5V SOT23 |
| HSH90P06 | MOSFETs TO263 P-Channel 85A |
| HSU0139 | P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：102W |
| HSBB6115 | MOSFETs PRPAK3X3 P-Channel 26A |
| HSBA4115 | MOSFETs 1个P沟道 耐压:40V 电流:52A PRPAK_5X6MM |
| HSU70P06 | MOSFETs P-沟道 60V 70A 135W 12mΩ@4.5V TO252-2 |
| HSBA6115 | MOSFETs 1个P沟道 耐压:60V 电流:35A DFN8_5.1X5.7MM |
| AO3415 | MOSFETs P-沟道 20V 4.3A 80mΩ@1.8V SOT23L |
| HSM4113 | P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：7.5A 功率(Pd)：3.1W |
| HSU6032 | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：41W |
