HSBB6115是品牌HUASHUO华朔，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 智能手环、 电子搅拌器、 电子胎心监测仪、 电动车充电器、 电子门锁 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：HSBB6115
- 品牌：华朔(HUASHUO)
- 分类：MOSFETs
- 参数：MOSFETs PRPAK3X3 P-Channel 26A
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 路由器、 安防摄像头、 音响系统、 3D打印机、 扫描仪、 电子厨房计时器、 吸尘器、 打印机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| HSH15810 | N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：227W |
| HSM4113 | P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：7.5A 功率(Pd)：3.1W |
| HSS0008 | MOSFETs N沟道 100V 1.2A 320mΩ@4.5V SOT23 |
| HSBA20N15S | N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：23A 功率(Pd)：72.6W |
| HSBA4115 | MOSFETs 1个P沟道 耐压:40V 电流:52A PRPAK_5X6MM |
| HSU0139 | P沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：102W |
| HSBA6115 | MOSFETs 1个P沟道 耐压:60V 电流:35A DFN8_5.1X5.7MM |
| HSM0228 | 2个N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：1.5W |
| HSH90P06 | MOSFETs TO263 P-Channel 85A |
| HSBB6115 | MOSFETs PRPAK3X3 P-Channel 26A |
