MMUN2233LT1G是品牌ON安森美,研发制造的带预偏置三极管产品型号,是电路的基本组成部分,该型号可应用很多设备,如 手机、 电子门锁、 智能手环、 智能手表、 电动自行车控制器 ,带预偏置三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号:MMUN2233LT1G
- 品牌:安森美(ON)
- 分类:带预偏置三极管
- 参数:带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
应用场景
带预偏置三极管可应用场景,如 音频功率放大器、 指纹识别器、 电子温度计、 电子空气净化器、 电子计算器、 电子游戏机手柄、 调音台、 固态硬盘 等,想要了解更多带预偏置三极管相关内容知识,可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| MMUN2232LT1G | 带有单片偏置电阻网络的NPN晶体管 |
| MMUN2233LT1G | 带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23 |
| MMUN2211LT1G | 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) NPN - 预偏压 50V 100mA 246mW SOT23 |
| MMUN2111LT1G | 带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=400mW SOT23 |
| DTC124XET1G | 数字晶体管(BRT)R1=22 KΩ,R2=22 KΩ具有单片偏置电阻网络的PNP晶体管 |
| MUN5235DW1T1G | 带预偏置三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=250mW SOT363 |
| MMUN2114LT1G | 带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23 |
| MUN5214DW1T1G | 带预偏置三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=250mW SOT363 |
| MUN2111T1G | 带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=338mW SC59 |
| MMUN2214LT1G | 带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23 |