SI2318DS-T1-E3是品牌Vishay威世，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 内存条、 电子搅拌器、 电视机、 示波器、 音频功率放大器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：SI2318DS-T1-E3
- 品牌：威世(Vishay)
- 分类：MOSFETs
- 参数：表面贴装型 N 通道 40 V 3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 电子按摩器、 心电图仪、 声卡、 电子除螨仪、 汽车、 笔记本电脑、 智能安防摄像头、 智能插座 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| SIHG30N60E-GE3 | MOSFETs N-Channel VDS=600V VGS=±30V ID=29A RDS(ON)=125mΩ@10V TO247AC |
| SI2325DS-T1-GE3 | MOS管 P-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=530mA RDS(ON)=1.2Ω@10V SOT23-3 |
| SQD25N15-52_GE3 | MOS管 N-Channel VDS=150V VGS=±20V ID=25A RDS(ON)=52mΩ@10V TO252 |
| SI4062DY-T1-GE3 | MOSFETs N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=32.1A RDS(ON)=4.2mΩ@10V SOIC8_150MIL |
| SI9933CDY-T1-GE3 | MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=58mΩ@4.5V SOIC8_150MIL |
| SI4948BEY-T1-E3 | VDS=60V ID=2.4A PD=1.4W 2 P-Channel SOIC8_150MIL MOSFETs |
| SQ2362ES-T1_GE3 | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=68mΩ@10V SOT23-3 |
| SI4134DY-T1-GE3 | 表面贴装型 N 通道 30 V 14A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SOIC |
| IRF820PBF | 通孔 N 通道 500 V 2.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB |
| SI2312BDS-T1-E3 | 表面贴装型 N 通道 20 V 3.9A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236） |
