SSM3K35AMFV,L3F是品牌Toshiba东芝，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 汽车电子控制系统、 路由器、 射频连接器、 虚拟现实头盔、 电子榨汁机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：SSM3K35AMFV,L3F
- 品牌：东芝(Toshiba)
- 分类：MOSFETs
- 参数：类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 现场可编程门阵列（FPGA）、 电子计算器、 电子广告牌、 声卡、 电磁炉、 吉他效果器、 电子除湿机、 录像机 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| SSM3J328R,LF(T | 表面贴装型 P 通道 20 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F |
| SSM3K324R,LF(T | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4A RDS(ON)=56mΩ@4.5V SOT23F |
| T2N7002AK,LM | MOSFET N-CH 60V 0.2A |
| SSM3K35AMFV,L3F | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：250mA 功率(Pd)：500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1Ω@4.5V,150mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@100uA |
| 2SK3476(TE12L,Q | MOS管 N-Channel VDS=10V VGS=20V ID=3A |
| SSM3K123TU,LF | MOS管 N-Channel VDS=20V VGS=±10V ID=4.2A RDS(ON)=28mΩ@4V UFM3 |
| SSM3J356R,LF | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：300mΩ@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@1mA |
| SSM3J332R,LF(T | 表面贴装型 P 通道 30 V 6A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F |
| TPH3R70APL,L1Q | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=90A RDS(ON)=3.7mΩ@10V SOP Advance8 |
| SSM6J511NU,LF | MOS管 P-Channel VDS=12V VGS=±10V ID=14A RDS(ON)=9.1mΩ@8V UDFN6B_2X2MM_EP |
