2N5551U_CBI_创基_SOT89-3_通用三极管

Name: 2N5551U_CBI_创基_SOT89-3_通用三极管
Brand: CBI

2N5551U 型号参数

2N5551U是品牌CBI创基，研发制造的通用三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子琴、示波器、功放设备、音频线材、电子加湿器，通用三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

通用三极管可应用场景，如无人机、直流电源、电子广告牌、电动车充电器、信号发生器、网络适配器、 LED显示器、电磁炉等，想要了解更多通用三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
BC848B	NPN硅外延晶体管，用于开关和放大器应用
MMBT3904T	功率(Pd)：200mW 集射极击穿电压(Vceo)：40V 集电极电流(Ic)：200mA 晶体管类型：NPN
BC847BW	SOT323 100mA 100MHz 200mW
S9015	晶体管类型：PNP 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：45V 功率(Pd)：200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@100mA,10mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@1mA,5V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
MMBT5401	晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 150 V 600 mA 300MHz 350 mW 表面贴装型 SOT-23-3
MMDT3946DW	晶体管类型：1个NPN,1个PNP 集电极电流(Ic)：200mA 集射极击穿电压(Vceo)：40V 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：200mA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA；400mV@50mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V 特征频率(fT)：300MHz；250MHz 工作温度(最小值)：- 工作温度(最大值)：+150℃@(Tj)
MMBTSA1576W	Plastic-Encapsulate Transistors,PNP
MMDT4403DW	塑料封装晶体管，双PNP
MMBT3906	三极管
BC850B	SOT23-3 100mA 300MHz

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