FDA70N20_ON_安森美_TO3PN_MOSFETs

Name: FDA70N20_ON_安森美_TO3PN_MOSFETs
Brand: ON

FDA70N20 型号参数

FDA70N20是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如红外感应器、 RFID读写器、电子胎心监测仪、遥控器、电子秤，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如电动工具、烤箱、吉他效果器、功放设备、电子除湿机、 MP4播放器、虚拟现实头盔、平板电脑等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NDFP03N150CG	MOS管 N-Channel VDS=1.5KV VGS=±20V ID=2.5A RDS(ON)=10.5Ω@10V TO220F
FDMA3023PZ	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±8V ID=2.9A RDS(ON)=90mΩ@4.5V MicroFET6
FDA24N50	MOS管 N-Channel VDS=500V VGS=±30V ID=24A RDS(ON)=190mΩ@10V TO3PN
FDMS86101DC	表面贴装型 N 通道 100 V 14.5A（Ta），60A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） 8-PQFN（5x6）
FDN335N	N沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET SOT23-3
NDS352AP	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=900mA RDS(ON)=500mΩ@4.5V SOT23-3
FDS4935BZ	MOS管 Dual P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=6.9A RDS(ON)=22mΩ@10V SOIC8_150MIL
FDV303N	表面贴装型 N 通道 25 V 680mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3
NTA4151PT1G	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：760mA 功率(Pd)：301mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：360mΩ@4.5V,350mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：450mV@250uA
NTR1P02T1G	MOS管 P-Channel VDS=20V VGS=±20V ID=1A RDS(ON)=180mΩ@10V SOT23

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