FDMS6681Z_ON_安森美_PQFN8_4.9X5.8MM_EP_MOSFETs

FDMS6681Z 型号参数

FDMS6681Z是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如红外感应器、心电图仪、饮水机、电子驱蚊器、路由器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：FDMS6681Z
品牌：安森美(ON)
分类：MOSFETs
参数：MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±25V ID=21.1A RDS(ON)=3.2mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP

型号	参数
FDD120AN15A0	表面贴装型 N 通道 150 V 2.8A（Ta），14A（Tc） 65W（Tc） TO-252AA
NTK3043NT1G	MOSFET–电源，带ESD保护的N通道，SOT-723 20 V，285 mA
NTR5103NT1G	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±30V ID=260mA RDS(ON)=2.5Ω@10V SOT23
NDFP03N150CG	MOS管 N-Channel VDS=1.5KV VGS=±20V ID=2.5A RDS(ON)=10.5Ω@10V TO220F
NTA4001NT1G	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA
FDC6420C	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=20V VGS=±12V ID (N-Channel)=3A ID (P-Channel)=2.2A TSOT23-6
BSS84LT1G	SOT23 225mW
FDD8424H	MOS管 N-Channel, P-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=9A,6.5A RDS(ON)=24mΩ,54mΩ@10V TO252-4
FDT458P	MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=3.4A RDS(ON)=130mΩ@10V SOT223
FQA24N60	通孔 N 通道 600 V 23.5A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN

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