FQD2N100TM是品牌ON安森美，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 逆变器、 电子净水器、 冰箱、 扫描仪、 交换机 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：FQD2N100TM
- 品牌：安森美(ON)
- 分类：MOSFETs
- 参数：表面贴装型 N 通道 1000 V 1.6A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252AA
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 RFID读写器、 电子助听器、 电子净水器、 无线网卡、 智能照明系统、 逻辑分析仪、 电动自行车、 整流器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NTS4001NT1G | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=270mA RDS(ON)=1.5Ω@4V SC70 |
| NTD3055L104T4G | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±15V ID=12A RDS(ON)=104mΩ@5V TO252 |
| NTR4101PT1G | 表面贴装型 P 通道 20 V 1.8A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236） |
| FDN340P | 表面贴装型 P 通道 20 V 2A（Ta） 500mW（Ta） SOT-23-3 |
| BS170 | MOSFETs TO-92-3 VDSS=60V ID=500mA N-Channel |
| FQD2N100TM | 表面贴装型 N 通道 1000 V 1.6A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252AA |
| FDMS86101 | MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=12.4A RDS(ON)=8mΩ@10V PQFN8_4.9X5.8MM_EP |
| NTA4001NT1G | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：238mA 功率(Pd)：300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA |
| MMBF170LT1G | MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=500mA RDS(ON)=5Ω@10V SOT23 |
| FDMS86252 | MOSFETs PQFN8_5X6MM VDS=150V ID=4.6A |
