MB6F_MDD_辰达半导体_MBF_整流桥

Name: MB6F_MDD_辰达半导体_MBF_整流桥
Brand: MDD

MB6F 型号参数

MB6F是品牌MDD辰达半导体，研发制造的整流桥产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子琴、 LED照明灯、 OLED显示屏、 MRI扫描仪、音响系统，整流桥与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

整流桥可应用场景，如网卡、电饭煲、射频连接器、摄像机、智能插座、电子书阅读器、 MP4播放器、洗衣机等，想要了解更多整流桥相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
GBU806	封装:GBU 正向压降(Vf):1.1V@4A 直流反向耐压(Vr):600V 整流电流:8A 反向电流(Ir):10uA@600V
GBU1010	封装:GBU 正向压降(Vf):1.1V@5A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:10A 反向电流(Ir):10uA@1kV
RMSB40M	封装:UMSB 正向压降(Vf):1.3V@4A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:4A 反向电流(Ir):5uA@1kV
MB10F	封装：MBF 参数：VR=400V IF=2A VF=1.25V IR=5uA trr=35nS
DB107S	封装：DBS 参数：VR=1000V IF=3A VF=1.7V IR=5uA trr=75nS
KBU808	封装:KBU 正向压降(Vf):1.1V@8A 直流反向耐压(Vr):800V 整流电流:8A 反向电流(Ir):10uA@800V
GBJ2510	封装：GBJ 参数：VRM=800V，IO=8.0A，IFSM=200A，VF=1.0V，IR=10uA
GBU808	封装:GBU 正向压降(Vf):1V@4A 直流反向耐压(Vr):800V 整流电流:8A 反向电流(Ir):10uA@800V
KBPC3510	封装:KBPC-25 正向压降(Vf):1.1V@17.5A 直流反向耐压(Vr):1kV 整流电流:35A 反向电流(Ir):10uA@1kV
DB107S	封装：DBS 参数：VR=1000V IF=3A VF=1.7V IR=5uA trr=75nS

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