MDD2301_MDD_辰达半导体_SOT-23_MOSFETs

MDD2301 型号参数

MDD2301是品牌MDD辰达半导体，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 MRI扫描仪、热水器、摩托车、直流电源、移动硬盘，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：MDD2301
品牌：辰达半导体(MDD)
分类：MOSFETs
参数：VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子

MOSFETs可应用场景，如音响设备、门禁系统、电子计算器、电子体重秤、电子阅读器、电子广告牌、实验室离心机、手机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MDD7N65D	VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:7.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:1.2Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路
AO3401	30V P沟道MOSFET SOT23 VDS=30V ID=4.2V PD=1.2V
MDD3400	MOSFETs N-沟道 30V 5.8A 27mΩ@10V SOT23
SI2305	P-Channel MOSFET Transistor VDSS=30V ID=5A
AO3415	P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
2N7002K	VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD10N65F	VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:10.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:0.81Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路
2N7002K	VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
BSS84	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD2302	MOSFETs N-沟道 20V 4A SOT23 旧型号SI2302

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