MDD2305_MDD_辰达半导体_SOT-23_MOSFETs

MDD2305 型号参数

MDD2305是品牌MDD辰达半导体，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如吉他效果器、汽车、 LCD显示屏、 3D打印机、整流器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：MDD2305
品牌：辰达半导体(MDD)
分类：MOSFETs
参数：VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-4.2A，RDS(on)（DS导通内阻）:37mΩ@-4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子

MOSFETs可应用场景，如电子秤、无线网卡、智能门锁、扬声器、电子门禁卡、机械硬盘、电子空气净化器、电子按摩器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
2N7002K	VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD2302	MOSFETs N-沟道 20V 4A SOT23 旧型号SI2302
MDD10N65F	VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:10.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:0.81Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路
MDD2301	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
BSS138	VDSS（DS最小反向击穿电压）:50V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
SI2302	MOSFETs N-沟道 20V 3A SOT23 新型号MDD2302
2N7002K	VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD2301	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
SI2302S	SOT-23塑料封装MOSFET
BSS84	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子

型号相关

热门型号