MDD2301_MDD_辰达半导体_SOT-23_MOSFETs

MDD2301 型号参数

MDD2301是品牌MDD辰达半导体，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如现场可编程门阵列（FPGA）、智能插座、功放器、复印机、扬声器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：MDD2301
品牌：辰达半导体(MDD)
分类：MOSFETs
参数：VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子

MOSFETs可应用场景，如摄像头、电子厨房计时器、逆变器、吉他效果器、电子阅读器、电子按摩器、投影仪、指纹识别器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
2N7002	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：300mW
SI2305	P-Channel MOSFET Transistor VDSS=30V ID=5A
AO3401	30V P沟道MOSFET SOT23 VDS=30V ID=4.2V PD=1.2V
SI2302	MOSFETs N-沟道 20V 3A SOT23 新型号MDD2302
AO3415	P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
MDD2301	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD3400	MOSFETs N-沟道 30V 5.8A 27mΩ@10V SOT23
SI2302S	SOT-23塑料封装MOSFET
MDD7N65D	VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:7.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:1.2Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路
BSS84	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子

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