SI2302_MDD_辰达半导体_SOT-23_MOSFETs

Name: SI2302_MDD_辰达半导体_SOT-23_MOSFETs
Brand: MDD

SI2302 型号参数

SI2302是品牌MDD辰达半导体，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子胎心监测仪、 3D打印机、话筒（麦克风）、洗衣机、电磁炉，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如信号发生器、智能插座、功放器、台式电脑主机、电子气压计、液晶显示器、电子烤箱温度计、遥控器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MDD2302	MOSFETs N-沟道 20V 4A SOT23 旧型号SI2302
2N7002K	VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
SI2305	P-Channel MOSFET Transistor VDSS=30V ID=5A
SI2302	MOSFETs N-沟道 20V 3A SOT23 新型号MDD2302
SI2301S	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：800pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：330pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：45pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
2N7002	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：300mW
BSS138	VDSS（DS最小反向击穿电压）:50V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
BSS84	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
AO3401	30V P沟道MOSFET SOT23 VDS=30V ID=4.2V PD=1.2V
SI2302S	SOT-23塑料封装MOSFET

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