MDD7N65D_MDD_辰达半导体_TO-252-2(DPAK)_MOSFETs

MDD7N65D 型号参数

MDD7N65D是品牌MDD辰达半导体，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如电子灭蚊灯、 GPS定位器、指纹识别器、电子签到系统、电子体温计探头，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：MDD7N65D
品牌：辰达半导体(MDD)
分类：MOSFETs
参数：VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:7.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:1.2Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路

MOSFETs可应用场景，如逆变器、门禁系统、智能音箱、笔记本电脑、音响设备、电子翻译器、专用集成电路（ASIC）、音频线材等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AO3415	P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
2N7002	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：300mW
BSS138	VDSS（DS最小反向击穿电压）:50V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD10N65F	VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:10.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:0.81Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路
AO3401	30V P沟道MOSFET SOT23 VDS=30V ID=4.2V PD=1.2V
BSS84	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD2305	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-4.2A，RDS(on)（DS导通内阻）:37mΩ@-4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD3400	MOSFETs N-沟道 30V 5.8A 27mΩ@10V SOT23
SI2305	P-Channel MOSFET Transistor VDSS=30V ID=5A
SI2301S	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：800pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：330pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：45pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

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