2N7002_MDD_辰达半导体_SOT-23_MOSFETs

Name: 2N7002_MDD_辰达半导体_SOT-23_MOSFETs
Brand: MDD

2N7002 型号参数

2N7002是品牌MDD辰达半导体，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如指纹识别器、红外感应器、电子秤、网卡、变压器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如交流电源、 DVD播放器、电子白板、路由器、数字信号处理器（DSP）、机器人、复印机、扬声器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MDD2302	MOSFETs N-沟道 20V 4A SOT23 旧型号SI2302
SI2302	MOSFETs N-沟道 20V 3A SOT23 新型号MDD2302
MDD10N65F	VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:10.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:0.81Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路
AO3415	P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
BSS84	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
SI2301S	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：70mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：800pC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：330pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：45pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
BSS84	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD7N65D	VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:7.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:1.2Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路
2N7002	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：300mW
2N7002K	VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子

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