2N7002K_MDD_辰达半导体_SOT-23_MOSFETs

2N7002K 型号参数

2N7002K是品牌MDD辰达半导体，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如路由器、人脸识别设备、逻辑分析仪、现场可编程门阵列（FPGA）、电动车充电器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：2N7002K
品牌：辰达半导体(MDD)
分类：MOSFETs
参数：VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子

型号	参数
AO3415	P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
AO3415	P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
BSS84	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
AO3401	30V P沟道MOSFET SOT23 VDS=30V ID=4.2V PD=1.2V
MDD2305	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-4.2A，RDS(on)（DS导通内阻）:37mΩ@-4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
SI2305	P-Channel MOSFET Transistor VDSS=30V ID=5A
2N7002	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：500mA 功率(Pd)：300mW
2N7002K	VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD2301	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-3.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:70mΩ@4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD10N65F	VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:10.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:0.81Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路

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