BSS84_MDD_辰达半导体_SOT-23_MOSFETs

BSS84 型号参数

BSS84是品牌MDD辰达半导体，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如路由器、录像机、电子灭蚊灯、变压器、机械硬盘，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：BSS84
品牌：辰达半导体(MDD)
分类：MOSFETs
参数：VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子

型号	参数
2N7002K	VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD3400	MOSFETs N-沟道 30V 5.8A 27mΩ@10V SOT23
MDD2302	MOSFETs N-沟道 20V 4A SOT23 旧型号SI2302
SI2302S	SOT-23塑料封装MOSFET
AO3401	30V P沟道MOSFET SOT23 VDS=30V ID=4.2V PD=1.2V
2N7002K	VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD10N65F	VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:10.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:0.81Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路
BSS138	VDSS（DS最小反向击穿电压）:50V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
BSS84	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
SI2302	MOSFETs N-沟道 20V 3A SOT23 新型号MDD2302

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