BSS84_MDD_辰达半导体_SOT-23_MOSFETs

BSS84 型号参数

BSS84是品牌MDD辰达半导体，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如手机、电子手表、频谱分析仪、电动工具、机械硬盘，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号：BSS84
品牌：辰达半导体(MDD)
分类：MOSFETs
参数：VDSS（DS最小反向击穿电压）:-50V，ID（DS最大平均电流）:-130mA，RDS(on)（DS导通内阻）:8Ω@-10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子

MOSFETs可应用场景，如血糖仪、音频功率放大器、电子除湿机、扫描仪、电源供应器、电子广告牌、电子门锁、 MP4播放器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
AO3415	P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A
AO3401	30V P沟道MOSFET SOT23 VDS=30V ID=4.2V PD=1.2V
SI2305	P-Channel MOSFET Transistor VDSS=30V ID=5A
2N7002K	VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD7N65D	VDSS（DS最小反向击穿电压）:650V，ID（DS最大平均电流）:7.0A，RDS(on)（DS导通内阻）:1.2Ω@VGS=10V 应用：适配器，充电器/LED驱动/PFC电路
SI2302S	SOT-23塑料封装MOSFET
MDD2305	VDSS（DS最小反向击穿电压）:-20V，ID（DS最大平均电流）:-4.2A，RDS(on)（DS导通内阻）:37mΩ@-4.5V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
2N7002K	VDSS（DS最小反向击穿电压）:60V，ID（DS最大平均电流）:500mA，RDS(on)（DS导通内阻）:0.9Ω@10V 应用：通讯模块/工业控制/人工智能/消费电子
MDD2302	MOSFETs N-沟道 20V 4A SOT23 旧型号SI2302
AO3415	P沟道MOSFET晶体管VDSS=20V ID=4.8A

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