MUN5313DW1T1G_ON_安森美_SOT-363_带预偏置三极管

Name: MUN5313DW1T1G_ON_安森美_SOT-363_带预偏置三极管
Brand: ON

MUN5313DW1T1G 型号参数

MUN5313DW1T1G是品牌ON安森美，研发制造的带预偏置三极管产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如智能手机、可编程逻辑控制器（PLC）、单片机、手机充电器、模拟信号处理器（ASP），带预偏置三极管与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

带预偏置三极管可应用场景，如智能安防摄像头、饮水机、电子榨汁机、 LED照明灯、电子加湿器、汽车电子控制系统、电子词典、调音台等，想要了解更多带预偏置三极管相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
MMUN2233LT1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MUN5214DW1T1G	带预偏置三极管 Dual NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=250mW SOT363
MUN5330DW1T1G	互补偏置电阻晶体管
MMUN2211LT1G	晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置) NPN - 预偏压 50V 100mA 246mW SOT23
MUN2211T1G	带预偏置三极管 NPN Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=230mW SC59
MMUN2133LT1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=80 P=400mW SOT23
MUN5111DW1T1G	带预偏置三极管 SOT363 Dual PNP Ic=100mA VCEO=50V
SMUN5313DW1T1G	互补偏置电阻晶体管R1=47KΩ，R2=47KΩ带有单片式bias电阻网络的NPN和PNP晶体管
MUN2111T1G	带预偏置三极管 PNP Ic=100mA Vceo=50V hfe=35 P=338mW SC59
MUN5311DW1T1G	互补偏置电阻晶体管

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