NCE30P20Q_NCE_无锡新功率_DFN8_3.3X3.3MM_EP_MOSFETs

NCE30P20Q 型号参数

NCE30P20Q是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如洗衣机、固态硬盘、网卡、电源供应器、电子净水器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

型号	参数
NCE6008AS	MOS管 N-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=8A SOIC8_150MIL
NCE6012AS	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
NCE40P70K	P-channel Id=70A VDS=40V TO252-2
NCE2312	N沟道增强型功率MOSFET
NCE60P50	MOS管 P-channel Id=50A VDS=60V TO220-3
NCE3020Q	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W
NCEP40T17A	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：170A 功率(Pd)：250W TO220-3L
NCEP1520K	N沟道漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：68W
NCE8295AD	MOS管 N-Channel VDS=82V VGS=±20V ID=95A RDS(ON)=8mΩ@10V TO263-2L
NCEP078N10G	VDS =100V,ID =75A RDS(ON)=7.4mΩ

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