NCE30P20Q_NCE_无锡新功率_DFN8_3.3X3.3MM_EP_MOSFETs

Name: NCE30P20Q_NCE_无锡新功率_DFN8_3.3X3.3MM_EP_MOSFETs
Brand: NCE

NCE30P20Q 型号参数

NCE30P20Q是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如摄像头、智能家居控制器、不间断电源（UPS）、电子血压手环、血糖仪，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如数码相机、复印机、虚拟现实头盔、逻辑分析仪、示波器、移动硬盘、路由器、显示器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE65T540K	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：69W
NCE3400	N沟道增强型功率MOSFET
NCE01H10D	N-沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
NCE6003M	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W
NCEP035N85GU	NCEP035N85GU
NCE0140KA	N沟道增强型功率MOSFET
NCE3050	N沟道增强型功率MOSFET
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCEP85T25T	MOS管 N-Channel VDS=85V VGS=±20V ID=250A RDS(ON)=2.8mΩ@10V TO247
NCEP0114AS	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=14A RDS(ON)=13mΩ@4.5V SOP8_150MIL

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