NCE6008AS_NCE_无锡新功率_SOIC8_150MIL_MOSFETs

Name: NCE6008AS_NCE_无锡新功率_SOIC8_150MIL_MOSFETs
Brand: NCE

NCE6008AS 型号参数

NCE6008AS是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如网卡、频谱分析仪、 MRI扫描仪、稳压电源、智能安防摄像头，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如扫描仪、扬声器、整流器、 GPS定位器、摩托车、耳机、电子气压计、手机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE3416	N沟道增强型功率MOSFET
NCE6012AS	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W
NCE3080K	N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：235W
NCE30P20Q	MOSFETs DFN8_3.3X3.3MM_EP P-Channel VDS=30V ID=20A
NCE60P04Y	MOS管 P-channel Id=4A VDS=60V SOT23-3
NCE0103M	N沟道增强型功率MOSFET
NCE3010S	MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=10A SO8_150MIL
NCEP4090AGU	MOSFETs N-沟道 40V 90A 2.9mΩ@10V
NCEP02T10D	NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L
NCE30D2519K	1个N沟道和1个P沟道漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：21W

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