NCEP039N10D_NCE_无锡新功率_TO-263(D²Pak)_MOSFETs

Name: NCEP039N10D_NCE_无锡新功率_TO-263(D²Pak)_MOSFETs
Brand: NCE

NCEP039N10D 型号参数

NCEP039N10D是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如手机充电器、吸尘器、电子翻译器、无人机、红外感应器，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如手机充电器、电子体重秤、电子烤箱温度计、网络适配器、心电图仪、电子驱蚊器、显卡、智能手机等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE60ND18G	N沟道增强型功率MOSFET VDS=60V ID=18A DFN8_4.9X5.75MM_EP
NCEP02T10D	NCE N沟道超沟道功率MOSFET VDS=200V ID=100A TO263-2L
NCE3400X	MOSFETs N-Channel VDS=30V ID=5.1A VGS=±12V SOT23-3
NCE8295A	N沟道 Vdss：82V Id：95A Pd：200W
NCE30ND09S	N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=9A P=2W
NCEP1520K	N沟道漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：68W
NCE2030	MOS管 N-channel Id=30A VDS=20V TO220-3
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCE4060K	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：65W
NCEP4090GU	NCEP4090GU

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