NCEP85T11_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs

Name: NCEP85T11_NCE_无锡新功率_TO-220-3_MOSFETs
Brand: NCE

NCEP85T11 型号参数

NCEP85T11是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如万用表、智能门锁、 B超机、电动自行车充电器、电子门禁卡，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。

MOSFETs可应用场景，如数码相机、扫描仪、 LCD显示屏、扬声器、现场可编程门阵列（FPGA）、饮水机、电饭煲、显示器等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。

型号	参数
NCE65T360F	N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W
NCE01H10D	N-沟道漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：100A 功率(Pd)：200W
NCE60P12K	P-channel Id=12A VDS=60V TO252-2
NCE4080	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：90W TO220-3L
NCE30ND09S	N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=9A P=2W
NCE6050KA	N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：85W
NCEP40T11G	N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：75W
NCE2309	MOS管 P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=1.6A RDS(ON)=190mΩ@10V SOT23
NCE0110K	MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=9.6A RDS(ON)=140mΩ@10V TO252-2L
NCE60P25K	P沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：90W

型号相关

热门型号