NCE60P12K是品牌NCE无锡新功率，研发制造的MOSFETs产品型号，是电路的基本组成部分，该型号可应用很多设备，如 视频线材、 智能手表、 直流电源、 蓝牙耳机、 电子按摩器 ，MOSFETs与其他元器件可共同构成各种复杂的电子系统。
产品数据
- 型号：NCE60P12K
- 品牌：无锡新功率(NCE)
- 分类：MOSFETs
- 参数：P-channel Id=12A VDS=60V TO252-2
应用场景
MOSFETs可应用场景，如 微处理器、 稳压电源、 变压器、 手机、 电子湿度计、 示波器、 电子空气净化器、 音频信号处理器 等，想要了解更多MOSFETs相关内容知识，可以关注我们。
选型表
| 型号 | 参数 |
| NCE2060K | NCE N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE01P13K | MOSFETs P channel Vdss=100V Id=13A Pd=40W |
| NCE3065K | N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=65A P=65W |
| NCE40P05S | MOSFETs P沟道 40V 5.3A 120mΩ@-4.5V SOP8 |
| NCE82H140D | N沟道 VDS=82V VGS=±20V ID=140A P=220W |
| NCEP30T21GU | 超级沟槽功率MOSFET N沟道 30V 210A 180W |
| NCE2302 | N沟道增强型功率MOSFET |
| NCE65T360F | N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11.5A 功率(Pd)：32.6W |
| NCE4009S | N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2W |
| NCE6012AS | N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：3W |
